如今半導體圈最棘手的事莫過于摩爾定律即將終結，研究人員不得不尋找硅材料的替代者來提升半導體的性能，而碳納米管就被認為是最有可能取代硅的材料之一。

近日，美國威斯康星大學麥迪遜分校已經在這一材料的研發(fā)上取得了跨越式的突破，該校的材料學家成功研制了1英寸大小碳納米晶體管，并且首次在性能上同時超越了硅晶體管和砷化鎵晶體管。

顧名思義，碳納米晶體管是由碳納米管作為溝道導電材料制作而成的晶體管，其管壁只有一個原子厚，這種材料不僅導電性能好，而且體積能做到比現(xiàn)在的硅晶體管小100倍。另外，碳納米晶體管的超小空間使得它能夠快速改變流經它的電流方向，因此能達到5倍于硅晶體管的速度或能耗只有硅晶體管的1/5。

不過因為技術的瓶頸，過去很長一段時間研究人員都沒能研制出性能優(yōu)于硅晶體管和砷化鎵晶體管的碳納米晶體管，更不用奢望其應用在各類電子設備中。

據了解，按照傳統(tǒng)的做法，碳納米管內通常會混雜一些金屬納米管，但是這些金屬納米管會造成電子裝置短路，從而破壞碳納米管的導電性能。威斯康星大學麥迪遜分校的研究人員這次另辟蹊徑，他們利用聚合物取代了幾乎所有的金屬納米管，將金屬納米管的含量降到0.01%以下，這樣的做法大大提升了導電性能。

除此之外，該研究團隊還在工藝上做出了改善，他們研發(fā)出的溶解方法成功移除碳納米管制造過程中產生的殘渣。

威斯康星大學麥迪遜分校材料工程學教授邁克·阿諾德表示：“我們的研究同時克服了碳納米管面臨的多重障礙，最終獲得了性能首超硅晶體管的1英寸碳納米晶體管。碳納米管的許多設想仍有待實現(xiàn)，但我們終于在二十年后實現(xiàn)了趕超。”

那么問題來了，石墨烯和碳納米管誰會成為下一代半導體材料？